IPDiA et le Leti réalisent un nouveau record mondial en matière de densité de capacité.
Le 10 avril 2012 – IPDiA et le CEA-Leti affirment avoir franchi une étape cruciale pour le développement du marché grâce à une nouvelle génération de condensateurs 3D haute-densité atteignant 550nF/mm2.
En moins de deux ans, le CEA-Leti et IPDiA ont développé avec succès, au sein du programme PRIIM financé par OSEO, un nouveau procédé basé sur le dépôt des couches diélectriques de milieu atomique K dans les architectures agressives des condensateurs 3D métal-isolant-métal de IPDiA. Le dépôt d’une couche atomique est un procédé technologique essentiel pour permettre des opérations d’enduction conformes sur des surfaces ayant un rapport de forme élevé ainsi que le contrôle exact de l’épaisseur à l’échelle atomique. Une densité capacité de 550nF/mm2 a été atteinte en limitant autant que possible les courants de fuite et les éléments parasites, tout comme dans le produit PICS3 de 250nF/mm2.
La troisième dimension permet aux condensateurs haute densité PICS d’augmenter considérablement leur surface, donc leur capacité, sans augmenter leur empreinte. Cette technologie présente de bonnes performances inhérentes et une grande stabilité (température, tension, vieillissement), une fiabilité supérieure et un niveau très faible d’éléments parasites (résistance et inductance série équivalentes). Elle constitue une excellente alternative aux composants discrets (condensateurs multicouche céramique et condensateurs au tantale) puisqu’elle révèle de meilleures performances pour un volume beaucoup plus petit.
Ces performances élevées – stabilité et la fiabilité – associées à une très grande densité offrent de nombreux avantages pour les clients qui utilisent des applications haute fiabilité sur des marchés tels que le médical, les environnements difficiles, l’automobile, la communication, l’industrie, la défense ou l’aérospatiale. Les applications visées sont, par exemple, les convertisseurs DC/DC et les fonctions de découplage dans un espace réduit : découplage des CI, MEMS, capteurs, cartes mémoire, cartes à puce.
IPDiA et le CEA-Leti continuent leurs développements afin de stabiliser ce procédé et assurer le développement du marché. L’ambitieux 1μF/mm2 est la cible de la prochaine étape.
IPDiA a dévoilé ses résultats le mois dernier, lors de la conférence sur le conditionnement des dispositifs qui s’est tenue à Scottdale aux Etats-Unis.
A propos de IPDiA
Fondée en juin 2009, IPDiA est l’un des leaders de l’intégration des composants passifs sur silicium, grâce à une offre globale de miniaturisation aux performances technologiques et économiques élevées. La société se concentre principalement sur les secteurs suivants : santé, éclairage, communication, défense, aérospatiale, industrie et automobile.
IPDiA est basé à Caen, en France.
Pour de plus amples informations : www.ipdia.com
A propos du CEA-Leti
Au cœur du Campus d’innovation MINATEC, le Leti est un centre de recherche appliquée en microélectronique et en technologies de l’information et de la santé. Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés. Pour des recherches au plus près des exigences industrielles, le Leti a consolidé des moyens technologiques rares : plateforme de nanocaractérisation, lignes 300mm et 200mm dédiées à la nanoélectronique et aux MEMS sur 8 000 m² de salles blanches. Avec plus de 220 étudiants impliqués dans les activités de recherche, le Leti est source de compétences dédiées à l’innovation. Fort d’un portefeuille de 1 700 familles de brevets, il contribue à renforcer la compétitivité de ses partenaires industriels.
Pour de plus amples informations : www.leti.fr
